負(fù)載開(kāi)關(guān)是用于開(kāi)啟和關(guān)閉系統(tǒng)中的電源軌的電子繼電器。負(fù)載開(kāi)關(guān)可用于多種不同的應(yīng)用，包括但不限于：
-配電
-上電時(shí)序控制和電源狀態(tài)轉(zhuǎn)換
-減小待機(jī)模式下的漏電流
-控制上電時(shí)間，減少浪涌電流
-控制下電時(shí)間，避免下電太慢導(dǎo)致其他問(wèn)題
前面3條是負(fù)載開(kāi)關(guān)的核心，后面兩條不是所有的負(fù)載開(kāi)關(guān)都具有的。
典型的負(fù)載開(kāi)關(guān)系統(tǒng)應(yīng)用如下。包括一個(gè)電源和多個(gè)需要不同負(fù)載電流的負(fù)載。系統(tǒng)必須通過(guò)多個(gè)電源開(kāi)關(guān)獨(dú)立控制這些負(fù)載，包括打開(kāi)時(shí)間、打開(kāi)的速度等。該電源開(kāi)關(guān)可以使用離散的MOSFET電路或集成的負(fù)載開(kāi)關(guān)來(lái)實(shí)現(xiàn)。
下圖是一個(gè)簡(jiǎn)單的NMOS負(fù)載開(kāi)關(guān)電路，該電路對(duì)輸入電壓VIN的最大值有限制，VIN需要小于Vgate-VGS 。
為了解決VIN限制問(wèn)題，可以在上述電路基礎(chǔ)上，增加一個(gè)電荷泵電路，使用電荷泵，可以實(shí)現(xiàn)NMOS的高VGS，并且使驅(qū)動(dòng)電路的導(dǎo)通電阻降低。當(dāng)然與PMOS一樣，也會(huì)存在浪涌電流問(wèn)題。如果需要減少浪涌電流，也還需要增加其他一些分立器件。
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