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  • 單結(jié)晶體管原理知識(shí)(UJT-基極二極管)
    • 發(fā)布時(shí)間:2021-01-29 17:55:24
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    單結(jié)晶體管原理知識(shí)(UJT-基極二極管)
    單結(jié)晶體管(簡(jiǎn)稱(chēng)UJT)又稱(chēng)基極二極管,它是一種只有一個(gè)PN結(jié)和兩個(gè)電阻接觸電極的半導(dǎo)體器件,它的基片為條狀的高阻N型硅片,兩端分別用歐姆接觸引出兩個(gè)基極b1和b2。在硅片中間略偏b2一側(cè)用合金法制作一個(gè)P區(qū)作為發(fā)射極e。其結(jié)構(gòu)、符號(hào)和等效電呼如圖1所示。 
    單結(jié)晶體管
    圖1、單結(jié)晶體管
    一、單結(jié)晶體管的特性 
    從圖1可以看出,兩基極b1與b2之間的電阻稱(chēng)為基極電阻:
    rbb=rb1+rb2
    式中:rb1----第一基極與發(fā)射結(jié)之間的電阻,其數(shù)值隨發(fā)射極電流ie而變化,rb2為第二基極與發(fā)射結(jié)之間的電阻,其數(shù)值與ie無(wú)關(guān);發(fā)射結(jié)是PN結(jié),與二極管等效。
    若在兩面三刀基極b2、b1間加上正電壓Vbb,則A點(diǎn)電壓為:
    VA=[rb1/(rb1+rb2)]vbb=(rb1/rbb)vbb=ηVbb
    式中:η----稱(chēng)為分壓比,其值一般在0.3---0.85之間,如果發(fā)射極電壓VE由零逐漸增加,就可測(cè)得單結(jié)晶體管的伏安特性,見(jiàn)圖2 
    單結(jié)晶體管
    圖2、單結(jié)晶體管的伏安特性 
    (1)當(dāng)Ve<η Vbb時(shí),發(fā)射結(jié)處于反向偏置,管子截止,發(fā)射極只有很小的漏電流Iceo。
    (2)當(dāng)Ve≥η Vbb+VD VD為二極管正向壓降(約為0.7伏),PN結(jié)正向?qū)ǎ琁e顯著增加,rb1阻值迅速減小,Ve相應(yīng)下降,這種電壓隨電流增加反而下降的特性,稱(chēng)為負(fù)阻特性。管子由截止區(qū)進(jìn)入負(fù)阻區(qū)的臨界P稱(chēng)為峰點(diǎn),與其對(duì)就的發(fā)射極電壓和電流,分別稱(chēng)為峰點(diǎn)電壓Vp和峰點(diǎn)電流Ip和峰點(diǎn)電流Ip。Ip是正向漏電流,它是使單結(jié)晶體管導(dǎo)通所需的最小電流,顯然Vp=ηVbb
    (3)隨著發(fā)射極電流ie不斷上升,Ve不斷下降,降到V點(diǎn)后,Ve不在降了,這點(diǎn)V稱(chēng)為谷點(diǎn),與其對(duì)應(yīng)的發(fā)射極電壓和電流,稱(chēng)為谷點(diǎn)電壓,Vv和谷點(diǎn)電流Iv。
    (4)過(guò)了V點(diǎn)后,發(fā)射極與第一基極間半導(dǎo)體內(nèi)的載流子達(dá)到了飽和狀態(tài),所以u(píng)c繼續(xù)增加時(shí),ie便緩慢地上升,顯然Vv是維持單結(jié)晶體管導(dǎo)通的最小發(fā)射極電壓,如果Ve<Vv,管子重新截止。
    二、單結(jié)晶體管的主要參數(shù) 
    (1)基極間電阻Rbb 發(fā)射極開(kāi)路時(shí),基極b1、b2之間的電阻,一般為2--10千歐,其數(shù)值隨溫度上升而增大。
    (2)分壓比η 由管子內(nèi)部結(jié)構(gòu)決定的常數(shù),一般為0.3--0.85。
    (3)eb1間反向電壓Vcb1 b2開(kāi)路,在額定反向電壓Vcb2下,基極b1與發(fā)射極e之間的反向耐壓。
    (4)反向電流Ieo b1開(kāi)路,在額定反向電壓Vcb2下,eb2間的反向電流。
    (5)發(fā)射極飽和壓降Veo 在最大發(fā)射極額定電流時(shí),eb1間的壓降。
    (6)峰點(diǎn)電流Ip 單結(jié)晶體管剛開(kāi)始導(dǎo)通時(shí),發(fā)射極電壓為峰點(diǎn)電壓時(shí)的發(fā)射極電流 
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