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  • MOS管損壞原因-MOS管損壞最常見(jiàn)有五種與分析
    • 發(fā)布時(shí)間:2020-11-21 17:25:17
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    MOS管損壞原因-MOS管損壞最常見(jiàn)有五種與分析
    MOS管損壞原因最常見(jiàn)有五種
    第一種:雪崩破壞
    如果在漏極-源極間外加超出器件額定VDSS的電涌電壓,而且達(dá)到擊穿電壓V(BR)DSS(根據(jù)擊穿電流其值不同),并超出一定的能量后就發(fā)生破壞的現(xiàn)象。MOS管損壞原因
    在介質(zhì)負(fù)載的開(kāi)關(guān)運(yùn)行斷開(kāi)時(shí)產(chǎn)生的回掃電壓,或者由漏磁電感產(chǎn)生的尖峰電壓超出功率MOSFET的漏極額定耐壓并進(jìn)入擊穿區(qū)而導(dǎo)致破壞的模式會(huì)引起雪崩破壞。
    典型電路:
    MOS管損壞原因
    第二種:器件發(fā)熱損壞-MOS管損壞原因
    由超出安全區(qū)域引起發(fā)熱而導(dǎo)致的。發(fā)熱的原因分為直流功率和瞬態(tài)功率兩種。
    (1)直流功率原因:外加直流功率而導(dǎo)致的損耗引起的發(fā)熱
    導(dǎo)通電阻RDS(on)損耗(高溫時(shí)RDS(on)增大,導(dǎo)致一定電流下,功耗增加)由漏電流IDSS引起的損耗(和其他損耗相比極小)
    (2)瞬態(tài)功率原因:外加單觸發(fā)脈沖
    負(fù)載短路
    開(kāi)關(guān)損耗(接通、斷開(kāi))(與溫度和工作頻率是相關(guān)的)內(nèi)置二極管的trr損耗(上下橋臂短路損耗)(與溫度和工作頻率是相關(guān)的)器件正常運(yùn)行時(shí)不發(fā)生的負(fù)載短路等引起的過(guò)電流,造成瞬時(shí)局部發(fā)熱而導(dǎo)致破壞。另外,由于熱量不相配或開(kāi)關(guān)頻率太高使芯片不能正常散熱時(shí),持續(xù)的發(fā)熱使溫度超出溝道溫度導(dǎo)致熱擊穿的破壞。
    MOS管損壞原因
    第三種:內(nèi)置二極管破壞
    在DS端間構(gòu)成的寄生二極管運(yùn)行時(shí),由于在Flyback時(shí)功率MOSFET的寄生雙極晶體管運(yùn)行,導(dǎo)致此二極管破壞的模式。
    MOS管損壞原因
    第四種:由寄生振蕩導(dǎo)致的破壞
    此破壞方式在并聯(lián)時(shí)尤其容易發(fā)生在并聯(lián)功率MOSFET時(shí)未插入柵極電阻而直接連接時(shí)發(fā)生的柵極寄生振蕩。高速反復(fù)接通、斷開(kāi)漏極-源極電壓時(shí),在由柵極-漏極電容
    Cgd(Crss)和柵極引腳電感Lg形成的諧振電路上發(fā)生此寄生振蕩。當(dāng)諧振條件(ωL=1/ωC)成立時(shí),在柵極-源極間外加遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于驅(qū)動(dòng)電壓Vgs(in)的振動(dòng)電壓,
    由于超出柵極-源極間額定電壓導(dǎo)致柵極破壞,或者接通、斷開(kāi)漏極-源極間電壓時(shí)的振動(dòng)電壓通過(guò)柵極-漏極電容Cgd和Vgs波形重疊導(dǎo)致正向反饋,因此可能會(huì)由于誤動(dòng)作引起振蕩破壞。
    MOS管損壞原因
    第五種:柵極電涌、靜電破壞
    主要有因在柵極和源極之間如果存在電壓浪涌和靜電而引起的破壞,即柵極過(guò)電壓破壞和由上電狀態(tài)中靜電在GS兩端
    (包括安裝和和測(cè)定設(shè)備的帶電)而導(dǎo)致的柵極破壞,MOS管損壞原因。
    MOS管損壞原因
    總結(jié):
    避免MOS因?yàn)槠骷l(fā)熱而造成的損壞,需要做好足夠的散熱設(shè)計(jì)。若通過(guò)增加散熱器和電路板的長(zhǎng)度來(lái)供所有MOS管散熱,這樣就會(huì)增加機(jī)箱的體積,同時(shí)這種散熱結(jié)構(gòu),風(fēng)量發(fā)散,散熱效果不好。有些大功率逆變器MOS管會(huì)安裝通風(fēng)紙來(lái)散熱,但安裝很麻煩。 所以MOS管對(duì)散熱的要求很高,散熱條件分為最低和最高,即在運(yùn)行中的散熱情況的上下浮動(dòng)范圍。一般在選購(gòu)的時(shí)候通常采用最差的散熱條件為標(biāo)準(zhǔn),這樣在使用的時(shí)候就可以留出最大的安全余量,即使在高溫中也能確保系統(tǒng)的正常運(yùn)行。
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