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MOS管泄漏電流,各種漏電流,減小泄露方法介紹
2024-05-10
MOS管泄漏電流,各種漏電流,減小泄露方法介紹理想的MOS晶體管不應該有任何電流流入襯底或者阱中，當晶體管關(guān)閉的時候D S之間不應該存在任何
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純電阻電路,公式,和非純電阻電路的區(qū)別詳解
2024-05-10
純電阻電路,公式,和非純電阻電路的區(qū)別詳解純電阻電路是指電流通過導體時，因?qū)w的電阻把電能轉(zhuǎn)化為熱能的電路。純電阻電路是除電源外，只
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B值是什么,熱敏電阻的B值介紹
2024-05-09
B值是什么,熱敏電阻的B值介紹熱敏電阻B值B值是熱敏電阻器的材料常數(shù)，即熱敏電阻器的芯片（一種半導體陶瓷）在經(jīng)過高溫燒結(jié)后，形成具有一
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單結(jié)晶體管符號,原理,單結(jié)晶體管觸發(fā)電路介紹
2024-05-09
單結(jié)晶體管符號,原理,單結(jié)晶體管觸發(fā)電路介紹單結(jié)晶體管介紹單結(jié)晶體管（UJT）又稱基極二極管，是一種只有一個PN結(jié)和兩個電阻接觸電極的半
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bat54c參數(shù),bat54c 5V轉(zhuǎn)3.3V,bat54c電路圖解
2024-05-09
bat54c參數(shù),bat54c 5V轉(zhuǎn)3 3V,bat54c電路圖解bat54c參數(shù)直流反向耐壓(Vr): 30V平均整流電流(Io): 200mA正向壓降(Vf): 1V @ 100mA反向
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串聯(lián)電路電壓,串聯(lián)電路電壓公式,規(guī)律詳解
2024-05-09
串聯(lián)電路電壓,串聯(lián)電路電壓公式,規(guī)律詳解串聯(lián)電路電壓規(guī)律串聯(lián)電路的總電壓等于各部分電路兩端電壓之和。串并聯(lián)電路的電壓規(guī)律是電路連接的
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延時電路圖,555延時電路圖設計介紹
2024-05-09
延時電路圖,555延時電路圖設計介紹觸摸延時電路圖這個觸摸延時電路圖簡單實用，電路原理：延遲開關(guān)電路見圖D1—D1，SCR組成開關(guān)的主回路，B
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平帶電壓詳解,MOS平帶電壓圖文介紹
2024-05-09
平帶電壓詳解,MOS平帶電壓圖文介紹平帶電壓一塊單純的半導體，它的能帶各處都一樣，所以在空間分布上，能帶沒有彎曲，也就是平的。當一塊金
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正向恢復時間與反向恢復時間解析
2024-05-09
正向恢復時間與反向恢復時間解析正向恢復時間正向恢復時間的定義：從二極管反向截止狀態(tài)到指定的正向?qū)顟B(tài)所需要的時間。正向恢復時間產(chǎn)
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單片機的工作原理,單片機的作用介紹
2024-05-08
單片機的工作原理,單片機的作用介紹單片機是由微處理器、存儲器、輸入輸出接口、定時計數(shù)器、模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器等多種功能模塊組成的微型計算
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rcd電路,剩余電流保護器(RCD)介紹
2024-05-08
rcd電路,剩余電流保護器(RCD)介紹剩余電流動作保護裝置（RCD）是具有漏電保護功能的開關(guān)設備，當電氣線路和電氣設備發(fā)生單相接地故障時，利
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影響MOS管開關(guān)速度的因素,米勒效應詳解
2024-05-08
影響MOS管開關(guān)速度的因素,米勒效應詳解米勒效應，在電子學反相放大電路中，輸入與輸出之間的分布電容或寄生電容由于放大器的放大作用，其等