100N12場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù),100N12規(guī)格書(shū),100N12引腳圖,100N12中文資料pdf代替
100N12 PDFN5×6-8L封裝參數(shù)：點(diǎn)擊查看
100N12場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)具體如下：
封裝類(lèi)型：PDFN5×6-8L
極性：NPN
極性：NPN
漏極電流：100A
功率耗散：227W
反向傳輸電容Crss：12pF
柵極源極擊穿電壓：±20V
擊穿電壓：120V
存儲(chǔ)溫度：-55℃~+150℃
引腳數(shù)：8Pin
導(dǎo)通電阻ID=20A,VGS=10V：Typ 6mΩ Max 7.5mΩ
導(dǎo)通電阻ID=A,VGS=V：Typ mΩ Max mΩ
工作溫度：-55℃~+150℃
安裝類(lèi)型：SMT
二、作用與應(yīng)用
100N12場(chǎng)效應(yīng)管的核心作用是作為電子開(kāi)關(guān)使用。在電路中，它通過(guò)控制柵極電壓來(lái)調(diào)節(jié)漏源路徑上的電流流動(dòng)，實(shí)現(xiàn)對(duì)負(fù)載的精確控制。由于其出色的電氣性能，100N12廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
電源管理：100N12可用于電源管理，如電源轉(zhuǎn)換和電池保護(hù)。
高保真放大器：在音頻放大器中，100N12可以提供高保真的音質(zhì)放大。
電機(jī)驅(qū)動(dòng)：適用于低電壓、大電流的小型伺服電機(jī)控制或功率MOSFET門(mén)驅(qū)動(dòng)器。
邏輯電路：100N12可用于實(shí)現(xiàn)數(shù)字邏輯功能，如與、或、非等邏輯門(mén)。
負(fù)載驅(qū)動(dòng)：100N12可用于驅(qū)動(dòng)大功率負(fù)載，如繼電器、LED等。
三、PDFN5x6-8L封裝特點(diǎn)
100N12采用PDFN5x6-8L封裝，這是一種塑料封裝，具有以下特點(diǎn)：
緊湊型封裝設(shè)計(jì)：PDFN5x6-8L封裝極大優(yōu)化了占位面積和重量，適合空間受限的應(yīng)用。
極低的封裝厚度：PDFN5x6-8L封裝的厚度低，有助于提高電路板的堆疊效率。
Clip銅夾封裝技術(shù)：散熱性能優(yōu)異，有助于高功率應(yīng)用中的熱管理。
降低封裝阻抗及感抗：PDFN5x6-8L封裝大大減少了封裝阻抗和感抗，提高了器件的性能。
可靠性高，可焊性好：PDFN5x6-8L封裝的應(yīng)用領(lǐng)域廣泛，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保且可靠
100N12場(chǎng)效應(yīng)管PDF5×6-8L封裝尺寸：
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